Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Глава 1. Литературный обзор . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1 Зонная структура объемных кристаллов слоистых
полупроводников . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.1 Зонная структура InSe, при переходе от объема к тонким
пленкам. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.2 Зонная структура GaSe, при переходе от объема к
тонким пленкам. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.3 Зонная структура SnS2, при переходе от объема к тонким
пленкам. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2 Получение тонких пленок слоистых полупроводников . . . . . . . 22
1.2.1 «Top-down» технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.2.2 «Bottom-up» технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.3 Оптические свойства дефектов в слоистых полупроводниках . . . 27
1.3.1 Примесно-дефектная люминесценция селенида индия . . . 27
1.3.2 Особенности дефектной люминесценции селенида галлия . 30
1.3.3 Особенности дефектной люминесценция дисульфида олова 37
Глава 2. Экспериментальные методы и подходы . . . . . . . . . . . 43
2.1 Основные методы измерений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.2 Получение тонких пленок слоистых полупроводников и
манипуляции с ними . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.3 Получение латерально больших монослоев . . . . . . . . . . . . . 48
Глава 3. Оптические свойства селенида индия (InSe) . . . . . . . 55
3.1 Объемные кристаллы селенида индия . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.2 Роль планарных дефектов при формировании оптических
свойств пленок InSe после механического слоения . . . . . . . . . 57
3.3 Низкотемпературная фотолюминесценция ультратонких пленок
InSe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.4 Структурные дефекты ответственные за излучение вблизи дна
экситонной зоны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3
Стр.
3.5 Объемные кристаллы селенида индия. Антистоксова
фотолюминесценция . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.6 Антистоксова фотолюминесценция тонких пленок селенида индия 71
3.7 Основные результаты третьей главы . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
Глава 4. Оптические свойства селенида галлия . . . . . . . . . . . 75
4.1 Фотолюминесценция GaSe: от объемных кристаллов к тонким
пленкам . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.2 Антистоксово излучение дефектов в объемных кристаллах и
тонких пленках GaSe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.3 Основные результаты четвертой главы . . . . . . . . . . . . . . . 81
Глава 5. Дисульфид олова, полученный методом высоких
давлений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
5.1 Структурные свойства микрокристаллов и пленок SnS2 . . . . . . 85
5.2 Низкотемпературная фотолюминесценция SnS2 и побочных
продуктов синтеза . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.3 Роль температуры HTHP синтеза и воспроизводимость
люминесцентных свойств полученного SnS2 . . . . . . . . . . . . . 94
5.4 Основные результаты пятой главы . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
Заключение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
Публикации автора по теме диссертации . . . . . . . . . . . . . . . . 101
Список литературы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Список рисунков . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
Список таблиц . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
