Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия

Комарницкая, Елена Александровна. Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Москва, 2000.- 132 с.: ил. РГБ ОД, 61 00-1/758-7
Автор
Комарницкая, Елена Александровна
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий
99 000 UZS
Автор
Кривуца, Зоя Федоровна
Количество страниц
Год
2000
Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
99 000 UZS
Автор
Ежлов, Вадим Сергеевич
Количество страниц
Год
2000
Электронный парамагнитный резонанс ионов группы железа и дефектов в оксидных и фторидных стеклах
99 000 UZS
Автор
Жачкин, Владимир Арефьевич
Количество страниц
Год
2000
Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
99 000 UZS
Автор
Заварцев, Юрий Дмитриевич
Количество страниц
Год
2000
Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Ильин, Николай Петрович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3