Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала

Карташова Анна Петровна. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Карташова Анна Петровна; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Санкт-Петербург, 2010.- 191 с.: ил. РГБ ОД, 61 10-1/1109