Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs

Кудряшов, Игорь Вениаминович. Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 2000.- 112 с.: ил. РГБ ОД, 61 00-1/1031-6
Автор
Кудряшов, Игорь Вениаминович
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование явления неустойчивости в мультистабильных неоднородных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Макарян, Анушаван Айкарамович
Количество страниц
Год
2000
Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
99 000 UZS
Автор
Моливер Сергей Соломонович
Количество страниц
Год
2000
Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью
99 000 UZS
Автор
Еремян, Аршам Серобович
Количество страниц
Год
2000
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : = 1.3-1.55 мкм
99 000 UZS
Автор
Пихтин, Никита Александрович
Количество страниц
Год
2000
Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl
99 000 UZS
Автор
Салапак, Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3