Введение
1 Сегнетомягкие материалы среди систем твердых растворов на основе ЦТС 14
1.1 Требования к диэлектрической запоминающей среде 15
1.2 Способы понижения коэрцитивного поля 17
1.3 Выбор систем – основ сегнетомягких материалов 20
1.4 Особенности электрофизических свойств твердых растворов в ромбоэдрической области фазовой диаграммы 26
1.5 Сегнетоэлектрики-релаксоры 27
1.5.1 Модель флуктуаций состава 29
1.5.2 Модель композиционного упорядочения .29
1.5.3 Модель случайного поля 30
1.5.4 Суперпараэлектрическая модель .30
1.6 Особенности ромбоэдрической области фазовой диаграммы ЦТС
вблизи морфотропной области .31
1.7 Динамическая усталость сегнетоэлектрика при многократной переполяризации 33
2 Получение керамических блоков, образцов и методы исследования .36
2.1 Получение керамики 36
2.1.1 Синтез .36
2.1.2 Спекание керамики методом горячего прессования 37
2.1.3 Измерительные образцы 39
2.2 Атомная структура и микроструктура .39
2.2.1 Рентгенофазовые исследования 39
2.2.2 Микроскопические исследования керамики 40
2.3 Поляризация образцов .41
2.4 Методика исследования электрофизических свойств .42
2.5 Методика исследования характеристик переключения .45
3 Микроструктура и доменная структура сегнетомягких материалов 49
3.1 Микроструктура нетравленой и неполяризованной керамики .49
3.2 Рельеф травления и домены 50
3.3 Доменная структура кристаллитов поляризованной керамики 59
4 Электрофизические свойства сегнетомягких материалов 69.
4.1 Диэлектрические свойства неполяризованных образцов 69
4.2 Диэлектрические свойства поляризованных образцов .75
5 Переключение поляризованности в сегнетомягких материалах 85
5.1 Диэлектрический гистерезис в синусоидально изменяющемся электрическом поле 85
5.1.1 Петли диэлектрического гистерезиса составов IV, IX и X .87
5.1.2 Петли диэлектрического гистерезиса состава III.2 89
5.1.3 Влияние температуры, амплитуды и частоты переключающего поля на диэлектрический гистерезис составов III.2 и IV .89
5.1.4 Диэлектрический гистерезис образцов состава III.2 при непрерывном включении поля 94
5.1.5 Основные результаты и выводы исследования диэлектрического гистерезиса 96
5.2 Температурная зависимость реверсивной диэлектрической проницаемости..98
5.3 Электромеханические свойства сегнетомягких материалов при переключении поляризованности .104
5.4 Исследование макетов запоминающих матриц из сегнетомягких материалов
в импульсных полях 108
Заключение .110
Список цитируемой литературы .
