Введение
1. Возможность исследования поверхности твердого тела при его распылении 13
1.1. Ионно-электронная эмиссия 15
1.2. Методы регистрации сигнала ионно-электронной
эмиссии 22
1.2.1. Метод наведенного тока 22
1.2.2. Метод объемного коллектора 24
1.3. Составляющие сигнала вторичной ионной эмиссии 25
1.4. Заключение и постановка задачи 27
2. Методика исследования и применяемое оборудование 31
2.1. Разработка элементов оборудования для исследования вторичной ионно-электронной эмиссии с поверхности твердого тела при ионно-лучевом травлении (ИЛТ) 32
2.2. Разработка метода регистрации тока вторичных электронов с поверхности твердого тела для разных технологических задач при ИЛТ немоноэнергетическим пучком ионов 39
2.2.1. Разработка узла регистрации вторичных электронов (ВЭ) 39
2.2.2. Методика определения средней энергии ионов от источника с холодным катодом 41
2.2.3. Методика определения качественной и количественной составляющей информативного сигнала 42
2.2.4. Методика определения оптимального потенциала приемника электронов для регистрации тока ВЭ 45
2.3. Ошибка измерений тока ВЭ 47
2.4. Заключение 47
3. Уточнение модели выхода вторичных электронов из металлов и полупроводников 49
3.1. Статистика электронов в металлах и полупроводниках 50
3.2. Энергия возбуждения электронов при неупругих атомных столкновениях 52
3.3. Вероятность выхода электронов 56
3.4. Доля регистрируемых вторичных электронов 57
3.5. Определение тока вторичных электронов 61
3.6. Особенности влияния температуры на выход ВЭ 62
3.7. Основные результаты моделирования и сравнение с другими моделями и экспериментальными данными 64
3.7.1. Зависимость коэффициента ионно-электронной эмиссии (КИЭЭ) от энергии ионов 64
3.7.2. Зависимость КИЭЭ металлов от атомного номера мишени 66
3.7.3. Сравнение теорий и эксперимента 72
3.7.4. Зависимость КИЭЭ полупроводников от ширины запрещенной зоны 74
3.7.5. Зависимость тока вторичных электронов от сорта
бомбардирующего иона 76
3.8. Заключение 79
4. Экспериментальное исследование кинетической ионно-электронной эмиссии с использованием тока вторичных электронов от обрабатываемой поверхности 81
4.1. Исследование возможности получения сигнала ионно- электронной эмиссии в условиях технологического процесса ИЛТ для диагностики поверхности твердого тела 81
4.2. Закономерности изменения тока вторичных электронов от времени травления многослойных структур 84
4.3. Особенности влияния электропроводимости мишени на ионно-электронную эмиссию с поверхности в результате ИЛТ полупроводниковых материалов 92
4.4. Зависимость сигнала ионно-электронной эмиссии основных полупроводников от параметров технологического процесса 99
4.5. Влияние ширины запрещенной зоны полупроводников на эмиссию вторичных электронов с поверхности 101
4.6. Влияние плотности потока ионов на коэффициент ионно-электронной эмиссии 104
4.7. Зависимость интенсивности сигнала ионно-электронной эмиссии основных металлов от параметров технологического процесса 107
4.8. Заключение 109
5. Использование ионно-электронной эмиссии для контроля ионно-лучевого травления слоистых гетерокомпозиций 115
5.1. Ионно-электронная эмиссия от пленочных гетероструктур 115
5.2. Закономерности изменения эмиссионного тока вторичных электронов при смене слоев травления гетероструктур 120
5.3. Получение топологии ПАВ-элементов на основе с одновременным электронно-эмиссионным контролем 124
5.4. Формирование контактов полевого транзистора на основе GaAs с использованием электронно-эмиссионного контроля 124
5.5. Создание диодных структур на основе карбида крем с использованием электронно-эмиссионного контроля
5.6. Заключение
Общее заключение
Общие выводы
Список использованных источников
