Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Алтухов Андрей Александрович. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06, 05.11.14.- Москва, 2005.- 174 с.: ил. РГБ ОД, 61 05-5/3835
