Введение
Глава 1. Обзор литературы 12
1.1 Мощные синие InGaN/GaN светодиоды - основа для создания энергосберегающего твердотельного освещения 12
1.2. Дизайн и технология получения мощных синих свето диодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур 17
1.3. Структурные особенности и специфика дефектов в нитриде галлия и светоизлучающих структурах 19
1.4. Безызлучательная рекомбинация в А3N наноматериалах и особенности излучательной рекомбинации в светоизлучающих InGaN/GaN структурах и светодиодах 22
1.5. Основные закономерности развития деградации мощных синих InGaN/GaN светодиодов, известные к началу выполнения работы 35
Глава 2. Основные объекты исследования, технология выращивания и традиционные методы диагностики светоизлучающих квантоворазмерных InGaN/GaN структур . 44
2.1 Основные объекты исследования и технология выращивания светоизлучающих квантоворазмерных InGaN/GaN структур. 44
2.2. Традиционные методы исследования структурных, электрических и оптических свойств светоизлучающи х структур 45
2.3. Методы старения мощных синих светодиодов 49
Глава 3. Комплекс методов, позволяющий реализовать новый подход в изучении развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих InGaN/GaN светодиодов 52
3.1. Методика определения характера организации наноматериала светоизлучающих квантоворазмерных InGaN/GaN структур на основе мультифрактального анализа. 53
3. 2. Теоретическое и экспериментальное изучение растекания тока по площади p-n-перехода InGaN/GaN светодиодов . 72
3.3. Изучение низкочастотного шума в мощных синих InGaN/GaN светодиодах 91
Выводы: 103
Глава 4. Исследование развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих InGaN/GaN светодиодов с разным характером организации наноматериала на разных временных стадиях старения . 105
4.1. Основные закономерности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих InGaN/GaN светодиодов 105
4.2. Основные закономерности развития деградации ВКЭ светодиодов на финальной стадии старения. 108
4.3. Механизмы, ответственные за развитие деградации ВКЭ мощных синих InGaN/GaN светодиодов 118
4.4. Скорость развития деградации ВКЭ светодиодов, классифицированных по характеру организации наноматериал (уровню токов утечки). 132
4.5. Причины катастрофических отказов и методы выявления ненадежных светодиодов. 135
Выводы: 144
Заключение 146
Список литературы 148
