Введение
ГЛАВА 1. Бессвинцовые технологии пайки кремниевых кристаллов ПЛИ 10
1.1. Конструктивно-технологические критерии выбора бессвинцовых припоев 10
1.2. Покрытия паяемых поверхностей под пайку бессвинцовыми припоями 12
1.3. Анализ способов и технологий напайки кристаллов бессвинцовыми сплавами 15
1.4. Способы оценки качества паяных соединений ПЛИ 22
1.5. Тепловое сопротивление кристалл-корпус как параметр оценки качества напайки кристаллов и надежности НИИ 23
1.6. Отбраковочные испытания ПЛИ 26
1.7. Методы, приборы и оборудование, используемые для проведения экспериментов 28
Выводы и постановка задач для исследования и разработок 29
ГЛАВА 2. Разработка и исследование новых бессвинцовых припоев 30
2.1. Анализ существующих бессвинцовых припоев 30
2.2. Разработка новых составов бессвинцовых припоев 34
2.3. Оценка смачивания и растекания новых бессвинцовых припоев по паяемым поверхностям кристалла и корпуса 44
2.4. Исследование технологических свойств сплава 88,6Sn/1034Bi/l,0Sb(Bec.%) 56
Выводы 59
ГЛАВА 3. Влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на параметры СПП 61
3.1. Методы, приборы и оборудование, используемые для проведения экспериментов 61
3.2. Влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на основания корпусов ТО-220 и КТ-43В на электрические параметры транзисторов 2П767В 64
3.3. Влияние марки припоя, способов и режимов напайки кристаллов на основания корпусов ТО-220 и*КТ-43В на RT кр-к транзисторов 2П767В 73
Выводы 77
ГЛАВА 4. Разработка новых способов напайки кристаллов на основания корпусов СПП с применением бессвинцовых сплавов 79
4.1. Способ пайки кристаллов с использованием локального нагрева 79
4.2. Способ присоединения кристаллов к корпусам с образованием эвтектики Si-Au 84
4.3. Способ присоединения кристаллов к корпусам с образованием эвтектик Sn-Zn и Al-Zn 87
4.4. Способ пайки полупроводникового кристалла к основанию корпуса бессвинцовым припоем 90
4.5. Разработка способа пайки кристаллов с образованием эвтектики Al-Zn 92
4.5.1. Исследование свойств алюминиевой металлизации корпусов СПП, полученной гальваническим осаждением 93
4.5.2. Исследование качества паяных соединений кристаллов с образованием эвтектики Al-Zn 97
4.6. Пайка полупроводниковых кристаллов со столбиковыми выводами методом «flip-chip» с использованием бессвинцовых припоев 104
4.7. Разработка способа контроля предельно допустимой температуры нагрева ППИ 105
Выводы 110
Основные результаты и выводы 112
Литература 114
