Введение
1. Газочувствительные и фоточувствительные пол и кристаллические структуры на основе халькогенидов и оксидов элементов (обзор литературы)
1.1. Физико-химические свойства халькогенидов свинца 10
1.2. Модельные представления о контактных явлениях на границе «металл-полупроводник» и границах зерен
1.3. Физико-химические свойства S11O2 32
1.4. Электрические свойства диоксида олова 35
1.5. Физические основы работы адсорбционных
газочувствительных датчиков на основе диоксида олова
1.6. Выводы 51
2. Основные методы и методики и исследования полупроводниковых структур
2.1. Измерения газочувствительности слоев Sn02, полученных путем окисления на воздухе
2.2. Методика измерения толщины слоев 54
2.3. Методика проведения фазового анализа и исследования
2.4. Методика измерения эффекта Холла 58
2.5. Методика измерения коэффициента термо-ЭДС ^0
2.6. Методика измерения фотоэлектрических и вольт-амперных характеристик
2.7. Методика анализа топологии поверхности методом ^ атомно- силовой микроскопии
2.8. Исследование структур методом низкочастотного ^. структурного внутреннего трения
2.9. Выводы 68
3. Получение и исследования газочувствительных слоев диоксида олова с управляемым значением и полярностью аналитического отклика
З.І.Особенности получения газочувствительных слоевдиоксида олова с управляемым значением аналитического отклика
3.2. Анализ газочувствительных слоев диоксида олова 72
3.3. Модель формирования аналитического отклика 78
3.4. Анализ влияния отжига в динамическом вакууме на 0,
ol свойства диоксида олова
3.5. Технология изготовления газового датчика на основе с-Sn02 87
3.6. Эксплуатационные характеристики газового датчика 92
3.7. Выводы 93
4. Влияние состояния границы раздела металл-халькогенидов свинца на фотоэлектрические свойства барьерных структур
4.1. Методика формирования структур металлполупроводник
4.2. Влияние состояния поверхности на вольт-амперные и фотоэлектрические характеристики структур In/РЬТе и In/PbSe
4.2.1. Вольт-амперные характеристики контактов In- QQ РЬТе УУ
4.2.2. Фотоэлектрические характеристики структур . «і In/PbTe и In/PbSe
4.3. Особенности границы раздела In/и-РЬТе и построение модели работы структуры
4.3.1. Определение параметров вольт-амперных характеристик
4.3.2. Расчет физических параметров, характеризующих границу раздела
4.3.3. Особенности вольт-амперных характеристик, обусловленные наличием инверсного слоя
4.3.4. Анализ механизмов токопротекания через контакт In/PbTe
4.4. Обнаружительная способность структур In/PbTe 120
4.5. Выводы 125
5. Получение и анализ наноструктурированных слоев алькогенида свинца
5.1. Физико-технологические особенности получения слоев 127
5.2. Термодинамический анализ процесса образования собственных оксидов РЬТе и SnTe при термическом окислении
5.3. Сравнение методик для характеризации наноструктуированных фоточувствительных слоев селенида свинца 138
5.4. Исследование поверхности поликристаллических слоев селенида свинца методом туннельной микроскопии
5.5. Исследование топологии поверхности методом атомно-силовои микроскопии слоев
5.6. Исследование слоев РЬТе(С1) методом низкочастотного структурного внутреннего трения
5.7. Сканирующая электронная микроскопия , пол и кристаллических слоев халькогенидов свинца
5.8. Выводы 155
Заключение 156
Литература
