Глава I - Четверные твердые растворы InGd/IsP
1,1.1. Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А3В5
1,1.2. Физико-химические свойства твердых растворов In&aftsP 13
1.2. Методы получения твердых растворов
1.2.1. Метод жидкостной эпитаксии 22
1.2.2. Метод газовой и молекулярной эпитаксш 26
1.3. Приборы на основе гетероструктур твердых растворов InGcLflsP 2.7
1.3,1. Излучательные приборы на основе твердых растворов InGaftsP ^7
а) Гетеролазеры в системе
б) Гетеролазеры в системе и InfafisP-faAsP 33
в) Свегодиоды в системе ІЛ&& AsP —In Р и ІЛЄ&АЇР -faAsP 35
1.3.2. Фотоприемники на основе твердых растворов IriG-cuAsP 37
Глава II - Получение и исследование эпитаксиальных твердых растворов In&cuAsP , ІлРаР и LnG-aPs 40
2.1. Установка для выращивания эпитаксиальных слоев твердых растворов ZnecLflsP; Irt
2.3. Электронно-зондовый метод контроля парамет ров полупроводниковых гетероструктур 79
2.4. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев InGatisP и TnS-aP на подложках Ga*As. $7
2.5. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев InG-aAs и ZnfafeP на подложках InP 63
2.6. Получение многослойных гетероструктур на ос нове твердых растворов Irta./)sP на под ложках ttuP %
Глава III- Исследование мнесцентных свойств эпитак сиальных слоев твердых растворов іґіво-fisp и приборов на их основе 33
3.1. Методика регистрации и исследования спект ральных характеристик излучения эпитаксиаль ных твердых растворов In 6-а As Ру Irifot^P и Хп&лН S3
3.2. Влияние величины несоответствия постоянных решетки и коэффициентов термического расширения на люминесцентные свойства гегеро струкгур TnG-OP ~ &CLAS S6
3.3. Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гетеролазерных структурах tn&a.AsP-ZnP 94
3.4. Показатель преломления твердых растворов ІҐІЄ-CLASP 97
3.5. Гегеролазеры в системе IrlfoL/fsP - ІґіР W
3.6. Гегеролазеры InGcuAsP - InP с гофрированным волноводом ///
3.7. Гетерофотогранзисторы в системе Z^i^-afisP » . И А
Заключение и8
Литература
