Введение
ГЛАВА 1. Твердые растворы в системе sic-aln и поверхностно-барьерные структуры на их основе 9
1.1 Карбид кремния и нитрид алюминия 9
1.2. Условия образования твердых растворов 13
1.3. Обзор технологий получения твердых растворов (SiC)1-х(AlN)х 18
1.4. Поверхностно-барьерные структуры на основе карбида кремния и его твердого раствора с нитридом алюминия 23
1.5. Выводы 25
ГЛАВА 2. Экспериментальные установки и методика получения пленок твердого раствора (SiC)1-х(AlN)х 27
2.1. Основные параметры систем ионно-плазменного магнетронного распыления 27
2.2. Расчет границы зоны термализации методом парных соударений в приближении жестких сфер 32
2.3. Технологические аспекты приготовления мишеней и очистки подложек для магнетронного распыления 36
2.4. Получение пленок твердого раствора (SiC)1-х(AlN)х методом магнетронного распыления 39
2.5. Выводы 49
ГЛАВА 3. Морфология роста, структура и оптические свойства пленок твердого раствора (SiC)1-х(AlN)х 51
3.1. Исследование структурных свойств пленок (SiC)1-х(AlN)х методом рентгеновской дифрактометрии 51
3.2. Спектроскопия комбинационного рассеяния света пленок (SiC)1-х(AlN)х 56
3.3. Морфология роста и поверхность пленок (SiC)1-х(AlN)х 58
3.4. Атомно-силовая и туннельная микроскопия пленок (SiC)1-х(AlN)х 63
3.5. Оптическое поглощение пленок (SiC)1-х(AlN)х 69
3.6. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок (SiC)1-х(AlN)х 75
3.7. Выводы 79
ГЛАВА 4. Получение и исследование поверхностно-барьерных структур в системе металл/(SiC)1-х(AlN)х 80
4.1. Формирование омических и барьерных контактов к (SiC)1-х(AlN)х/SiC структурам 80
4.2. Расчет высоты потенциального барьера Металл/(SiC)1-х(AlN)х 83
4.3. Определение высоты потенциального барьера Металл/(SiC)1-х(AlN)х 88
4.4. Влияние степени ионности компонентов SiC-AlN на высоту потенциального барьера на контакте Металл/(SiC)1-х(AlN)х 95
4.5. Выводы 98
Заключение 99
Список литературы
