Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии

Багаев, Тимур Анатольевич. Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии : диссертация ... кандидата химических наук : 05.27.06 / Багаев Тимур Анатольевич; [Место защиты: Моск. гос. ун-т тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова].- Москва, 2013.- 116 с.: ил. РГБ ОД, 61 14-2/34
Автор
Багаев, Тимур Анатольевич
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование и разработка технологии получения пленок высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10 методом магнетронного нанесения
99 000 UZS
Автор
Верюжский, Иван Васильевич
Количество страниц
Год
2012
Формирование бидоменной структуры в монокристаллах ниобата лития
99 000 UZS
Автор
Быков, Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2013
Структура и свойства низкотемпературных термоэлектрических материалов, полученных интенсивной пластической деформацией
99 000 UZS
Автор
Богомолов, Денис Игоревич
Количество страниц
Год
2013
Магнитные композиты на основе наноразмерных ччастиц MeOn-Fe2O3, интегрированных в диэлектрическую матрицу диоксида кремния
99 000 UZS
Автор
Гареев Камиль Газинурович
Количество страниц
Год
2014
Получение углеродных нанотрубок и армированных керамических композитов
99 000 UZS
Автор
Зараменских, Ксения Сергеевна
Количество страниц
Год
2012
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3