Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давлений на основе структуры "кремний-на-диэлектрике"

Баринов Илья Николаевич. Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давлений на основе структуры "кремний-на-диэлектрике" : Дис. ... канд. техн. наук : 05.11.14 Пенза, 2005 210 с. РГБ ОД, 61:06-5/3522
Автор
Баринов Илья Николаевич
Год
2005

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Алтухов Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2005
Моделирование производственных систем сборки технологических элементов замены на основе логико-динамических графов
99 000 UZS
Автор
Жигалёв Николай Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Технологическое обеспечение качества пьезоэлектрических преобразователей на основе применения разрабатываемых функционально-композиционных материалов
99 000 UZS
Автор
Дронов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2005
Метод формирования прецизионных рисунков на роторах гироскопических приборов
99 000 UZS
Автор
Марковская Наталья Владимировна
Количество страниц
Год
2003
Разработка метода и технологии получения субмикронных сверхпроводящих туннельных переходов для низкотемпературных информационно-измерительных приборов
99 000 UZS
Автор
Паволоцкий Алексей Борисович
Количество страниц
Год
2003
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3