Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния

Тонких Александр Александрович. Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 СПб., 2005 118 с. РГБ ОД, 61:05-1/778
Автор
Тонких Александр Александрович
Год
2005
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературы 11
1.1 Электролюминесценция монокристаллического кремния 14
1.2 АЗВ5 соединения на подложке кремния 19
1.3 Легирование кремния атомами редкоземельных элементов 22
1.4 Нанокристаллиты кремния 24
1.5 Гетероструктуры SiGe 25 ГЛАВА 2. Экспериментальные методики 32
2.1 Технология молекулярно-пучковой эпитаксии кремния 32
2.2 Установка МПЭ Riber Siva 45 34
2.3 Химическая предростовая подготовка поверхности кремниевых подложек 37
2.4 Условия проведения ростовых экспериментов 39
2.5 Установка атомно-силовой микроскопии и методика проведения эксперимента 42
2.6 Установка магнетронного напыления 43
2.7 Фото- и электролюминесцентные измерения 44
ГЛАВА 3. Влияние Sb на свойства массива Ge островков на поверхности Si(100) 46
3.1 Формирование островков в гетероэпитаксиальной системе Si/Ge 46
3.2 Формирование островков в системе Ge(Sb)/Si 51
3.3 Влияние температуры подложки на свойства массива Ge островков,
выращенных с добавлением Sb 55
3.4 Влияние величины потока Sb на свойства массива Ge островков 57
3.5 Кинетика формирования Ge островков на поверхности Si(l 00) в присутствии Sb 61
ГЛАВА 4. Многослойные Ge/Si гетероструктуры с квантовыми точками 68
4.1 Исследуемые структуры 69
4.2 Структурные свойства многослойных Ge/Si гетероструктур 73
4.3 Фотолюминесцентные исследования многослойных гетероструктур Ge/Si 79
4.3.1 Особенности спектра фотолюминесценции многослойных гетероструктур Ge/Si 79
4.3.2 Влияние ростовых параметров на оптические свойства многослойных гетероструктур Ge/Si 83
4.3.3 Модель зонной структуры 90
4.4 Оптические свойства Ge/Si многослойных гетероструктур 93
4.4.1. Зависимость интегральной интенсивности спектральной полосы Ge/Si гетероструктур от количества периодов структуры N 93
4.4.2. Зависимость положения максимума спектральной полосы Ge/Si гетероструктур от плотности мощности возбуждения 95
4.4.3. Фотолюминесценция с временным разрешением 96
4.4.4. Фотолюминесценция многослойных гетероструктур Ge/Si, выращенных на разных типах подложек 98
4.4.5 Модель электронной минизоны (Уточненная модель) 98
4.5 Электролюминесцентные свойства многослойных гетеростурктур Ge/Si, помещенных в р-п переход 101
Заключение 104
Список цитируемой литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Торопов Алексей Акимович
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Уздовский Владимир Валерьевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Логинова Екатерина Александровна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Уточкин Иван Геннадьевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Марко Антон Александрович
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3