Полупроводниковые микроэлектромеханические системы датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками

Москалев, Сергей Александрович. Полупроводниковые микроэлектромеханические системы датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками : диссертация ... кандидата технических наук : 05.13.05 / Москалев Сергей Александрович; [Место защиты: Пенз. гос. ун-т].- Пенза, 2013.- 142 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-5/1961
Автор
Москалев, Сергей Александрович
Год
2013
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1 Анализ современного состояния разработок и исследований в области создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления. Постановка задач исследования 12
1.1 Анализ конструктивно-технологических методов изготовления полупроводниковых МЭМС датчиков давления 12
1.2 Анализ тенденций развития датчиков давления на базе полупроводниковых МЭМС 17
1.3 Анализ современного состояния разработок датчиков давления на базе полупроводниковых МЭМС 19
1.4 Анализ методик расчёта полупроводниковых МЭМС датчиков давления 30
1.5 Результаты и выводы по главе 32
2 Теоретические и экспериментальные исследования функционирования полупроводниковых МЭМС при воздействии давления 35
2.1 Функция преобразования полупроводниковых МЭМС датчиков давления 35
2.2 Исследование функционирования полупроводниковых МЭМС при воздействии давления 2.2.1 Моделирование процессов преобразования давления в профилированном кристалле с мембраной квадратной формы без жесткого центра 48
2.2.2 Моделирование процессов преобразования давления в профилированном кристалле с мембраной квадратной формы и жестким центром 60
2.3 Результаты и выводы по главе 71
3 Разработка математических моделей профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС датчиков давления 74
3.1 Определение параметров профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС, обеспечивающих расположение тензорезисторов а областях с максимальными относительными деформациями 75
3.2 Определение параметров профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС, обеспечивающих расположение тензорезисторов в областях с равными по абсолютной величине относительными деформациями 80
3.3 Методика расчета полупроводниковых МЭМС, обеспечивающая проектирование датчиков давления повышенной чувствительности, линейности 87
3.4 Результаты и выводы по главе 88
4 Разработка и экспериментальное исследование полупроводниковых МЭМС 91
4.1 Технические решения полупроводниковых МЭМС датчиков давления, обеспечивающие повышенную точность измерения 91
4.2 Сопоставление экспериментальных данных с результатами исследования 101
4.3 Результаты и выводы по главе 107
Заключение 109
Список сокращений и условных обозначений 112
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Осипов, Дмитрий Леонидович
Количество страниц
Год
2013
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3