Введение
Глава 1. Обзор литературы 10
1.1Ускоренные испытания КМОП ИМС 10
1.2 Радиационные эффекты при низкоинтенсивном облучении 11
1.3.Модели образования поверхностных состояний при облучении ИИ 15
1.3.1.Модель разрыва напряженных связей 15
1.3.2. Конверсионная модель образования ПС 17
1.3.3. «Водородная» модель образования ПС 20
Выводы. 33
Глава 2. Исследование образования поверхностных дефектов при воздействии низкоинтенсивного гамма-излучения 35
2.1.Анализ литературных данных 35
2.2.Методика проведения исследования воздействия гамма-излучения на МОП транзисторы в КМОП ИМС 41
2.3. Исследование МОП транзисторов в КМОП ИМС серии 1526ЛЕ5 в режиме хранения 42
2.3.1.Описание экспериментов 42
2.3.2. Исследование МОП транзисторов в КМОП ИМС серии 1526 в режиме хранения 43
2.3.3 Исследование МОП транзисторов в КМОП ИМС серии 1526 в режиме переключения 45
2.3.4 Исследование МОП транзисторов с КНИ структурой в тестовых КМОП ИМС в пассивном режиме 47
2.4.Модель поверхностного дефектообразования 50
2.4.1. Анализ литературных и экспериментальных данных 50
2.4.2.Физическая модель образования «дополнительных» поверхностных дефектов 53
Выводы 59
