Введение
1. Современное состояние исследований электрофизических свойств поликристаллического кремния 24
1.1. Технология изготовления и структура поликристаллического кремния 24
1.2. Модели электропроводности поликристаллического кремния 25
1.3. Пьезорезистивные и упругие свойства поликремния 42
1.4. Влияние импульсного токового отжига на электропроводность поликремния 51
1.5. Упругие элементы тензопреобразователей давления 53
1.6. Распределение деформации в мезаструктурах 56
Выводы 59
2. Модельные представления электропроводности и пьезорезистивного эффекта в слоях поликристаллического кремния 62
2.1. Феноменологическое описание эффекта пьезосопротивления в пленках поликристаллического кремния в линейном приближении 62
2.2. Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках лоликристаллического кремния 77
2.3. Модель рассеяния дырок на потенциальных барьерах в поликристаллическом кремнии 89
2.4. Пьезо сопротивление в пленках поликристаллического кремния р - типа 102
2.5. Влияния импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния р - типа 114
2.6. Модель электропроводности поликристаллического кремния р - типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах 124
Выводы 138
3. Анализ полей механических напряжений и их k нелинейностей в прямоугольных диафрагмах 140
3.1. Механические напряжения в прямоугольных диафрагмах при больших прогибах , 140
3.2. Экспериментальные исследования прогибов и напряжений в квадратных диафрагмах 154
Выводы 177
4. Экспериментальные исследования электрофизических характеристик моно - и поликристаллического кремния 178
4.1. Влияние температуры роста и термического отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния. 179
4.2. Использование SMART-CAT - технологии для создания тешопреобразователей сенсоров давления 197
Выводы 203
5. Вопросы проектирования тензопреобразователей давления с поликремниевыми тензорезисторами 204
5.1. Влияние линейных размеров поликремниевых резисторов на их теш очувствительн ость 208
5.2. Тепловая модель тензорезистора 219
5.3. Влияние текстуры на тензочувствительность поликремниевых тензорезисторов р-типа 222
5.4. Расположение тензорезисторов на диафрагме, определение выходного сигнала тензопреобразователя давления 227
5.5. Начальный выходной сигнал тензопреобразователя давления 243
Выводы 247
6. Конструктивно - технологическая реализация принципов проектирования тензопреобразователей давления с поликремниевыми тензорезисторами 249
6.1. Тензопреобразователь давления с поликремниевыми островками 251
6.2. Применение профилированных диафрагм для повышения чувствительности сенсоров давления 252
6.3. Тензопреобразователь с уменьшенной нелинейностью выходного сигнала 255
6.4. Тензопреобразователь давления со специальной зависимостью выходного сигнала , 257
6.5. Тензопреобразователь давления с температурно независимым выходным сигналом 258
6.6. Сенсоры давления со стальными разделительными диафрагмами 261
Заключение раздела 6 267
Заключение 268
Список литературы 271
Приложение 294
