Введение
Глава 1. Литературный обзор. Современное производство знакосинте зирующих индикаторов 12
1.1. Жидкокристаллические индикаторы на твист-эффекте 12
1.2. Вакуумно-люминесцентные индикаторы 18
1.3. Общие конструктивные особенности изделий знакосинтезирующей электроники 20
1.4. Общие технологические.особенности производства изделий знакосинтезирующей электроники 21
1.5. Краткий анализ литературных данных по конструированию и технологии производства индикаторных устройств в их серийном производстве 24
1.6. Система обеспечения технического уровня и качества продукции в производстве изделий электронной технике ОАО «Рефлектор» 28
Раздел I. Усовершенствование традиционных технологий производства знакосинтезирующих индикаторов 33
Глава 2. Оптимизация процесса получения на электродных пластинах знакосинтезирующих индикаторов прозрачных ГГО-пленок 33
2.1. Конденсация, образование зародышей и рост тонких пленок 33
2.2. Общая характеристика ITO-пленок, полученных методом вакуумного напыления 38
2.3. Модель реактивного распыления индия в магнетронной установке 41
2.4. Разработка способов управления магнетронным разрядом при реактивных процессах напыления ІТО-пленок 46
2.5. Технология напыления прозрачных проводящих ІТО-пленок на магнетронных установках при серийном выпуске электродных плат жидкокристаллических устройств 51
2.6. Свойства ІТО-пленок, полученных магнетронным реактивным распылением на постоянном токе в производстве жидкокристаллических устройств 58
2.7. Анализ атмосферы в камере магнетронного распыления ІТО-пленок 62
2.8. Термическая стабильность электрической проводимости ІТО-пленок 66
2.9. Очистка стеклянных подложек электродных плат 70
2.10. Выводы к главе 2 75
Глава 3 Оптимизация технологии формирования тонких диэлектрических ориентирующих жидкие кристаллы слоев пленок в ЖКИ, обеспечивающих заданный угол подвеса молекул ЖК 77
3.1. Косонапыленные пленки на основе монооксидов германия и кремния 77
3.2. Ориентация жидких кристаллов на текстурированных полиимидных пленках 109
3.3. Модификация ориентирующей поверхности на пластинах жидкокристаллических индикаторов
3.3.1. Модификация косонапыленных пленок SiO 126
3.3.2. Модификации косонапыленных пленок GeO 128
3.3.3. Модификация текстурированных полиимидов 131
3.4. Выводы к главе 3 137
Глава 4. Оптимизация вакуумной технологии введения жидких кристаллов в пакет индикаторов 143
4.1. Общие положения 143
4.2. Влияние технологических процессов введения жидких кристаллов в пакет индикаторов на их расход 149
4.3. Влияние чистоты оснастки на удельную проводимость ЖК материалов 155
4.4. Ориентационные дефекты капиллярной структуры жидкого кристалла в процессе введения его.в межэлектродный зазор 160
4.5. Выводы к главе 4 171
Раздел П. Новые конструкторско-технологичесіше решения в производстве знакосинтезирующих индикаторов 173
Глава 5. Составы, технологии получения и применения материалов и растворов в производстве знакосинтезирующих индикаторов 173
5.1. Разработка альтернативных материалов и способов создания ориентирующего микрорельефа в жидкокристаллических индикаторах 173
5.2. Особенности применения диэлектрических паст и полимерных композитов в производстве знакосинтезирующих индикаторов 184
5.2.1. Цементы 184
5.2.2. Калибраторы 188
5.2.3. Стеклопорошки 195
5.2.4. Адгезионные свойства системы «полиимид-наполнитель» 199
5.2.5. Герметизирующие полимерные композиции 206
5.2.6. Электроизоляционная герметизирующая композиция 208
5.2.7. Технология применения диэлектрических паст в серийном производстве анодных плат ВЛИ 212
5.2.8. Технология нанесения полимерных (диэлектрических) растворов 217
5.2.9. Печатные краски трафаретного нанесения 218
5.3. Выводы к главе 5 229
Глава 6. Новые конструкторско-технологические решения в производстве знакосинтезирующих индикаторов 233
6.1. Новые групповые методы и технологии формирования топологического рисунка жидкокристаллических индикаторов 233
6.2. Топологический рисунок для жидкокристаллических дисплеев шахматных мини-ЭВМ 241
6.3. Многоуровневая топология электродных плат индикаторов 245
6.4. Электрооптические характеристики жидкокристаллических индикаторов 247
6.5. Жидкокристаллические индикаторы с повышенной эксплуатационной надежностью 258
6.6. Электрогидравлический эффект в технологии производства изделий знакосинтезирующей электроники 261
6.7. Матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическим дисплеем 266
6.8. Выводы к главе 6 271
Раздел III. Автоматизация процесса изготовления знакосинтезирующих индикаторов на основе новых физико-технологических решений 273
Глава 7. Автоматизация процесса изготовления пакетов индикаторов в серийном производстве 273
7.1. Сборка корпусов жидкокристаллических индикаторов 273
7.2. Автоматический анализ индикаторов на короткие замыкания 285
7.3. Технология получения переходного электрического контакта в жидкокристаллических индикаторах 288
7.4. Плазмохимическая технология в реализации переходного электрического контакта в индикаторных устройствах 292
7.5. Выводы к главе 7 300
Глава 8. Контроль качества жидкокристаллических материалов в производственных условиях 302
8.1. Химический состав 302
8.2. Диэлектрические константы и диэлектрическая проводимость 310
8.3. Оптические константы жидкокристаллических материалов 317
8.4. Установка типа СМ-5М комплексных электрических испытаний жидкокристаллических материалов 320
8.5. Выводы к главе 8 322
Основные выводы 323
Литература 326
