Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии

Горохов Евгений Борисович. Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 Новосибирск, 2005 174 с. РГБ ОД, 61:05-1/615
Автор
Горохов Евгений Борисович
Год
2005
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Обзор литературы 11
1.1. Испарение пленок двуокиси германия 11
1. 1.1. Десорбция кислорода с поверхности Ge и диссоциация Ge02 11
1.1.2. Анализ диффузионных ограничений вреакции образования газообразнозо GeO 13
1.1.3. Проблема маесопереноса в объеме слоя GeC>2 14
1.1.4. Критический талшлимитіруюи^аїжід^^ 17
1.2. Анализ кристаллизации в плёнках 25
1.2.1. Кристаллическиемодификации GeOi 25
1.2.2. Получение и свойства слоев гексагональной фазы Ge02 27
1.3. Заключение по обзору литературы. Основные задачи диссертации 29
Глава 2. Методы синтеза и исследования слоев Ge02 32
2.1. Синтез слоев GeOj на германии и других материалах 33
2.2. Очистка инертных газов от примесей 02 и Н20 и синтез слоев GeO 37
2.2. Осаждение слоев GeO на германии и кремнии 3 7
22.2 Очистка инертных газов от примесей О2 uHfi 31
2.3. Основные методы исследования плёнок 40
2.3.1. Инфракрасная спектроскопия и комбинационное рассеяние 40
2.3.2. Элеюпроннаямшроскопия 41
2.3.3. Эллипсометрия 42
2.3.4. Изучение структуры диэлектрических плёнок травлением 44
2.3.5. Оптическая микроскопия 46 Заключение и выводы к главе 2 47
Глава 3 Испарение стекловидных и кристаллических плёнок GeOj 49
3.1. Исследование испарения плёнок термического оксида германия 49
3.1.1. Формула протекающей реакции 49
3.1.2. Роль диффузии молекул GeO в газ 51
3.1.3. Анализ роли пористости Ge02 в процессе его испарения , 53
3.2. Анализ экспериментальных результатов 57
3.2.1. Анализ факторов, влияющих на скорость реакции 57
3.2.2 Ка^іеспштнаямодель процесса іюпаренияоксі^ с поверхносіпи германия 59
Механизм перемещения кислородных вакансий в стекле 66
Энергии активации переключения вакантной связи 67
3.2.4 Образование газообразного GeO и взаимосвязь трёх фазреаюршф 69
3.2.5 Особенности испарения на краях плёнки Ge02 73
3.3 Различия в испарении стеклообразных и кристаллических слоев Ge02 74
3.4 Сравнительный анализ исследуемых процессов в системах Ge/Ge02 и Si/Si02 78
3.5 Описание в рамках единой модели процессов роста и испарения термического оксида 83
3.6 Практические приложения обсуждаемых результатов 94
Заключение и выводы к главе 3 100
Глава 4. Кристаллизация плёнок термического Ge02 104
4.1 Кристаллизация плёнок Ge02 при комнатной температуре 104
4.2 Кинетика роста кристаллов в термическом Ge02 при повышенных температурах 111
4.3 Эволюция рельефа кристаллизующегося окисла и подложки 118
4.4 Особенности структуры и строения сферолитов 121
4.5 Формирование микрорельефа подложки германия в окрестности сферолитов 125
4.5.1 Азимутальная неоднородность рельефа подложки под сферолитами 130
4.5.2 Образование кольцевых зон вокруг сферолитов 132 4.5.3. Поверхностная миграция германия 136
. 4.5.4 Поверхностный перенос фазы Єе02(ам) 146
4.6. Особенности кристаллизации аморфных плёнок Ge02 в вакууме 147
4.7. Проблема получения качественных слоев Ge02(reKc) на германии 152
Выводы к главе 4 6
Основные выводы по диссертации 160
Благодарность 163
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Нестоклон Михаил Олегович
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Стукова Елена Владимировна
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Трифонов Олег Александрович
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Хамидов Марасилав Магомедович
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Хамидуллин Рустам Ангамович
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3