Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN

Автор
Александров Иван Анатольевич
Год
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Структуры с квантовыми точками GaN/AlN (обзор) 13
1.1 Нитриды металлов третьей группы 13
1.1.1 Кристаллическая структура 13
1.1.2 Структура зон GaN, A1N 16
1.1.3 Изменение спектра GaN и A1N при деформации 19
1.1.4 Пьезоэлектрическая и спонтанная поляризация 20
1.1.5 Развитие технологии изготовления структур на основе нитридов металлов III группы
1.2 Механизмы формирования и структурные свойства квантовых точек GaN/AlN 23
1.3 Энергетическая структура квантовых точек GaN/AlN 25
1.4 Динамика рекомбинации в структурах с квантовыми точками GaN/AlN 26
1.5 Механизмы безызлучательной рекомбинации в квантовых точках GaN/AlN 27
Глава 2. Методика исследований 30
2.1 Описание исследуемых образцов 30
2.2 Методика измерений 34
Глава 3 Исследование дефектов в слоях A1N 40
3.1. Образцы и условия эксперимента 42
3.2. Определение типа оптических переходов 44
3.3. Определение энергетических параметров центров рекомбинации 50
3.4. Природа центров рекомбинации
3.5 Выводы к главе 3 57
Глава 4. Энергетическая структура и оптические свойства квантовых точек GaN/AIN 58
4.1 Энергетическая структура квантовых точек GaN/AIN 58
4.2 Поглощение света в структурах с квантовыми точками GaN/AIN 63
4.3 Стационарная фотолюминесценция квантовых точек GaN/AIN 64
4.4 Исследование фотолюминесценции квантовых точек GaN/AIN с разрешением по поляризации 65
4.5 Выводы к главе 4 68
Глава 5 Кинетика фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN70
5.1 Кинетика фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AIN в режиме одноэкситонной рекомбинации 70
5.2 Модель кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AIN 74
5.3 Выводы к главе 5 80
Глава 6. Безызлучательная рекомбинация в структурах с квантовыми точками GaN/AIN 81
6.1 Температурная зависимость стационарной фотолюминесценции и кинетики фотолюминесценции КТ GaN/AIN 81
6.2. Расчет температурной зависимости излучательного времени жизни в квантовых точках GaN/AIN 90
6.3 Туннелирование носителей заряда из квантовой точки на глубокий центр в матрице 92
6.4. Модель рекомбинации носителей заряда структурах с квантовыми точками GaN/AIN 101
6.5 Выводы к главе 6 105
Заключение 107
Список публикаций по теме диссертации 109
Список литературы 1

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Копьев Виктор Васильевич
Количество страниц
Год
2019
99 000 UZS
Автор
Синицин Алексей Михайлович
Количество страниц
Год
2019
99 000 UZS
Автор
Бантыш Борис Игоревич
Количество страниц
Год
2018
99 000 UZS
Автор
Лошаченко Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
99 000 UZS
Автор
Румянцев Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3