Введение
1. Аналитический обзор 9
1.1. Методы получения тонких пленок Si02 на поверхности монокристаллического кремния
1.2. Влияние на систему 02-Si02-Si в процессе термического окисления монокристаллического кремния 31
1.3. Постановка задач исследования в области радиационно-термического окисления кремния 41
2. Объекты исследования и методика эксперимента
2.1. Объекты исследования 43
2.2. Измерение толщины пленок Si02 на поверхности монокристаллического кремния 43
2.3. Определение химического состава, структуры и стехиометрии
2.4. Исследование электрофизических характеристик пленок Si02 51
2.5. Термическое окисление монокристаллического кремния в поле /-излучения
2.6. Термическое окисление монокристаллического кремния под влиянием УФ-излучения 5
2.7. Окисление монокристаллического кремния в ВЧ плазме тлеющего разряда
3. Исследование механизма окисления монокристал лического кремния и структуры пленок Si02 63
3.1. Исследование термического окисления монокристаллического кремния в поле у-излучения и свойства полученной структуры Si- Si02
3.2. Исследование термического окисления монокристаллического кремния под влиянием УФ-излучения и свойства полученной структуры Si-Si02 gQ
3.3. Исследование окисления монокристаллического кремния в ВЧ плазме тлеющего разряда и свойства полученной структуры Si-Si02 84
3.4. Механизм радиационно-термического окисления монокристаллического кремния 93
выводы 101
Список литературы
