Введение
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ В ЧИСТЫХ И ПРИМЕСНЫХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ). II
1.1. Электронные возбуждения в ЩГК
1.1.1. Автолокализованные дырки II
1.1.2. Экситоны в щелочно-галоидных кристаллах .......... 19
1.2. Электронные возбуждения в ЩГК с гомологической примесью 29
1.3. Влияние примеси на образование и накопление радиационных дефектов в ЩГК 40
1.4. Задачи исследования 44
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В РАБОТЕ 47
2.1. Установка импульсной абсорбционной и люминесцентной спектрометрии у 47
2.2. Обработка экспериментальных данных 60
2.3. Объекты исследования 64
ГЛАВА 3. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ ВБЛИЗИ ПРИМЕСИ ЙОДА 66
3.1. Короткоживущее поглощение в KW;7 , наводимое импульсом радиации 66
3.2. Эффективность захвата электронных возбуждений примесью иода 76
3.3. Люминесценция кристаллов К ел У при импульсном возбуждении радиацией 78
3.4, Механизмы процесса захвата электронных возбуждении примесью иода в К се? з и
их эволюции 89
3.5. Природа полосы ліогдинеоценции на 3,4 эВ в К#-*Э 104
ГЛАВА 4. ЗАХВАТ ЭЛЕКТРОННЫХ ЮЗБУЗЩЕНИИ ПРИМЕСЬЮ БРОМ В КРИСТАЛЛАХ. ПО
4.1. Короткоживущее поглощение в наведенное импульсом электронов
4.2. Люминесценция кристаллов /vbiU:Bn при импульсном возбуждении электронами 119
4.3. Короткоживущее поглощение, наведенное импульсом электронов в К(^:ST ....,....«,,,.. 130
4.4, Люминесценция &№:&п. при возбуждении импульсом электронов ...... 139
ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ АНИОННОЙ ПРИМЕСИ НА ОБРАЗОВАНИЕ И ЭВОЛЮЦИЮ РАДИАЦИОННЫХ ОБЪЕКТОВ
5.1 Влияние примеси иода на образование дефектов
5.2 Анализ результатов исследования процессов эволюции первичных дефектов В \А№:1 159
5.3, Образование центров окраски 162
