Введение
Глава 1. Обзор литературы и постановка задачи 8
1.1. Физические основы фотоэмиссии из полупроводника с отрицательным электронным сродством 8
1.2. Влияние размерного квантования в приповерхностной области на ОЭС фотоэмиссию 16
1.3. Угловое распределение эмитированных электронов 26
Постановка задачи 28
Глава 2. Методика измерения энергетических и угловых распределений электронов при фотоэмиссии из GaAs с ОЭС 30
2.1. Планарные вакуумные фотодиоды 30
2.2. Измерение спектров фотоэмиссии электронов (СФЭ) 35
2.3. Энергетическая калибровка СФЭ 37
2.4. Измерение СФЭ в скрещенных электрическом и магнитном полях.. 39
Глава 3. Упругое и неупругое туннелнровапие фотоэлектронов из зоны размерного квантования 45
3.1. Расчёт положений уровней размерного квантования и времен упругого туннелирования электронов в вакуум 45
3.2. Экспериментальные результаты 60
Выводы 66
Глава 4. Эмиссия фотоэлектронов из GaAs с ОЭС в скрещенных однородных электрическом и магнитном полях 67
4.1. Теория восстановления углового распределения 67
4.2. Оценка углового распределения 92
Выводы 98
Список сокращений и обозначении 100
Список литературы 101
