Разработка двухкаскадного тонкопленочного фотопреобразователя с улучшенными характеристиками с применением слоев SiOx:H с нанокристаллическими включениями кремния

Введение
1.1. Актуальность применения nc-Si/SiO
1.2. Методы получения i/i O
1.3. Особенности слоев nc-S H полученных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы 19
1.4. Применение слоев nc-Si/SiOx:H в солнечной энергетике 26
1.5. Выводы к главе 1 35
Глава 2. Методы получения и диагностики слоев
2.2. Подготовка образцов для измерения электропроводности 39
2.3. Подготовка образцов для проведения просвечивающей электронной микроскопии 40
Влияние потока углекислого газа на свойства слоев nc-Si/SiOx:H n-типа 60
3.2. Исследование влияния давления в рабочей камере на свойства слоев пс-Si/SiOx:H п-типа 65
3.3. Исследование я" п-типа п-типа Si/SiOx:H р-типа 77
3.6. Исследование Si/SiOx:H р-типа 82
Резульхахы применения слоев каскада тонкопленочного солнечного модуля на основе кремния.