Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди

Милованов Роман Александрович. Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди: диссертация ... кандидата технических наук: 05.27.06 / Милованов Роман Александрович;[Место защиты: Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)].- Москва, 2016.- 192 с.
Автор
Милованов Роман Александрович
Год
2016
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Роль послойного препарирования кристаллов в технологии анализа отказов современных ис. методы послойного препарирования кристаллов ис. особенности системы межсоединений на основе меди (обзор литературы) 6
1.1. Роль послойного препарирования кристаллов в технологии анализа отказов современных ИС 6
1.2. Методы послойного препарирования кристаллов ИС
1.2.1. Требования к методам послойного препарирования 9
1.2.2. Влияние характеристик топологических слоев кристалла на определение метода его препарирования
1.3. Особенности системы межсоединений на основе меди 16
1.4. Методы селективного травления меди
1.4.1. Методы жидкостного травления 22
1.4.2. Методы сухого травления 27
1.5. Выводы к главе 1 60
Глава 2. Экспериментальные исследования по селективному удалению медных проводников системы межсоединений ис методом жидкостного травления 64
2.1. Оборудование 64
2.2. Образец 2.2.1. ПЛИС ф. XILINX Virtex-4 73
2.2.2. ПЛИС ф. XILINX Virtex-6
2.3. Методы на основе использования геля-носителя 86
2.4. Традиционные методы жидкостного травления 106
2.5 Выводы к главе 2 110
Глава 3. Экспериментальные исследования по селективному удалению медных проводников системы межсоединений ис методом сухого травления 112
3.1. Высокотемпературные методы 112
3.2. Низкотемпературные методы
3.2.1. Исследование возможности понижения температуры сухого травления медных проводников ИС за счет использования многокомпонентных газовых смесей 124
3.2.2. Исследование возможности понижения температуры сухого травления медных проводников ИС за счет использования циклических процессов 134
3.2.3. Исследование возможности понижения температуры сухого травления медных проводников ИС за счет использования внешнего УФ излучения 142
3.3. Выводы к главе 3 155
Глава 4. Синтез метода послойного препарирования кристаллов в технологии анализа отказов современных ис с системой межсоединений на основе меди 158
4.1. Синтез метода послойного препарирования кристалла ИС с системой межсоединений на основе меди 158
4.2. Экспериментальная проверка метода на примере кристалла ПЛИС Virtex-4 ф. Xilinx 163
4.3. Выводы к главе 4 180
Основные результаты и выводы работы 182
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Синев Леонид Станиславович
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Сидорова Светлана Владимировна
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Евстафьев Сергей Сергеевич
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Тумаркин Андрей Вилевич
Количество страниц
Год
2016
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3