Введение
Глава 1 Состояние проблемы получения гетероструктур ЫР / InGaAsP для элементов ВОЛС 10
1.1 Краткая характеристика фотопрёмников для ВОЛС 10
1.2 Проблемы технологии гетероструктур для фотоприемников 20
1.2.1. Управление составом многокомпонентных ТР в процессе ЖФЭ.. 21
1.2.2. Проблема согласования параметров решеток 27
1.2.3. Проблема получения чистого материала 31
1.2.4. Проблема легирования и локализации р-п-перехода в гетероструктурах 34
1.2.5. Проблема защиты поверхности 35
1.3. Параметры фотоприемников 38
1.4. Технические требования, предъявляемые к гетероструктурам для излучателей 40
1.4.1. Электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев на основе InGaAsP 42
1.4.2. Оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов InGaAsP 46
1.4.3. Основные конструкции светодиодов, используемые в ВОЛС...54
1.5. Заключение 56
Глава 2. Исследование процессов роста многослойных гетероструктур InGaAsP/InP для p-i-n-фотодиодов систем ВОЛС 59
2.1 p-i-n-фотодиоды на основе двойных гетероструктур (ДГС).. 59
2.2 Основные конструкции и требования к параметрам твердых растворов InGaAsP для p-i-n-диодов 62
2.3 Элементы технологии получения гетеросруктур на основе InGaAs(P) с низкой фоновой концентрацией примеси 64
2.4 Исследование основных характеристик гетероструктур для p-i-n-фотодиодов 76
Глава 3. Исследование процесса выращивания двойных гетероструктур для быстродействующих излучателей систем ВОЛС 81
3.1. Технологические условия формирования двойных гетероструктур InGaAsP/InP 81
3.2. Электрофизические и оптические исследования ДГС типап-п-р 86
3.3. Электрофизические и оптические исследования ДГС типап-р-р+ 92
3.4 Испытание гетероструктур в макетах излучателей систем ВОЛС 95
Глава 4. Разработка промышленной технологии выращивания гетероструктур InP/InGaAsP 96
4.1 Полный технологический цикл получения гетероструктур для элементов ВОЛС 96
4.2 Основные техническо - экономические показатели технологии получения структур ЭСФАГИ 99
Выводы 102
Литература 103
