Введение
Глава 1. Технология SiGe ГБТ и приборы на её основе 10
1.1. Технология SiGe 10
1.2. Существующие конструкции SiGe ГБТ 26
1.3. Масштабирование SiGe ГБТ 36
Выводы к главе 1 41
Глава 2. Выбор моделей для анализа характеристик SiGe ГБТ 42
2.1. Обоснование выбора пакета приборно-технологического моделирования 42
2.2. Выбор технологических моделей 44
2.3. Экспериментальное исследование интегральных структур на этапе калибровки моделей технологических операций формирования SiGe ГБТ 56
2.4. Выбор приборных моделей 65
Выводы к главе 2 75
Глава 3. Исследование конструктивных и технологических особенностей SiGe ГБТ, влияющих на его быстродействие 76
3.1. Методы повышения быстродействия SiGe ГБТ 76
3.2. Анализ базовой конструкции SiGe ГБТ 78
3.3. Масштабирование структуры SiGe ГБТ с повышением быстродействия 82
3.4. Исследование влияния профиля германия в активной базе на быстродействие SiGe ГБТ 93
3.5. Исследование положения профиля бора и возможности снижения его диффузии с применением легирующего углерода 96
3.6. Исследование влияния концентрации и профилей областей коллектора SiGe ГБТ на его быстродействие 103
3.7. Разработка конструкции SiGe ГБТ, позволяющих повысить его быстродействие 106
3.8. Исследование влияния толщины буферного эмиттерного слоя на быстродействие SiGe ГБТ 112
Выводы к главе 3 114
Глава 4. Влияние технологических операций формирования SiGe ГБТ на статические и динамические характеристики КМОП структур 115
4.1. Влияние технологических операций биполярного узла
на конструктивно-технологические характеристики КМОП транзисторов 115
4.2. Выбор приборных моделей для среды симуляции комплементарных полевых транзисторов 121
4.3. Статические характеристики КМОП транзисторов 124
4.4. Динамические характеристики КМОП транзисторов 130
Выводы к главе 4 134
Заключение 135
Список используемых источников 138
