Введение
Глава 1. Обзор литературы 12
1.1 Области применения силовых полупроводниковых приборов. 12
1.2. Основные типы силовых полупроводниковых приборов 14
1.2.1. Мощные диоды 14
1.2.2. Мощные МОП транзисторы 16
1.2.3. Биполярно полевые транзисторы (IGBT) 20
1.2.4. Запираемые тиристоры (GTO) 21
1.3. МОП управляемые тиристоры . 22
1.4. Высоковольтная полевая изоляция приборов. 33
1.5. Методы снижения статических потерь 34
1.6 Снижение динамических потерь радиационным методом регулирования времени жизни носителей 37
1.7. Выводы и постановка задачи 39
Глава 2. Критерий оценки максимальной управляемой плотности тока выдвинутый на основе анализа 2D модели РТ p-i-n диода с катодом, шунтированным МОП транзистором 41
2.1. Принципиальная эквивалентная схема МОП тиристора 41
2.2 Динамическое моделирование принципиальной эквивалентной схемы МОП тиристора .. 43
2.3 Структура МОП тиристора 45
2.4. 2D модель РТ р-І-п диода 48
2.5. Моделирование анодного шунтирования 52
2.6. Моделирования влияния напряжения затвора на В АХ модели p-i-n диода 53
2.7 Проект траншейного МОП управляемого тиристора 64
Глава 3. Изготовление экспериментального МОП тиристора и экспериментальная проверка предложенного критерия определения максимального управляемого тока 71
3.1 Выбор материала для изготовления высоковольтного тиристора...71
3.2 Охранная изоляция периферии МОП тиристора 74
3.3. Статические вольт - амперные характеристики МОП тиристора 77
3.4. Регулирование времени жизни носителей в МОП тиристоре облучением электронами 83
3.5. Динамические характеристики МОП тиристора 84
Основные результаты и выводы .95
Заключение 97
Литература
