Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов

Шангереева Бийке Алиевна. Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01.- Махачкала, 2006.- 152 с.: ил. РГБ ОД, 61 06-5/2668
Автор
Шангереева Бийке Алиевна
Год
2006

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS
99 000 UZS
Автор
Сердобинцев Алексей Александрович
Количество страниц
Год
2006
Оптимизация технологии формирования элементов интегральной электроники с пониженной дефектностью на структурах кремний на изоляторе
99 000 UZS
Автор
Мустафаев Абдулла Гасанович
Количество страниц
Год
2006
Особенности воздействия СВЧ- и оптического излучения на полупроводниковые приборы СВЧ-диапазона
99 000 UZS
Автор
Абрамов Антон Валерьевич
Количество страниц
Год
2005
Оперативный диагностический контроль и мониторинг технического состояния силовых полупроводниковых приборов в преобразовательных агрегатах
99 000 UZS
Автор
Сухов Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2006
Интегральная реализация принципа многофазного управления регулятором напряжения питания в КМОП технологическом базисе
99 000 UZS
Автор
Балашов Алексей Михайлович
Количество страниц
Год
2005
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3