Введение
1 Однофотонные детекторы: устройство и принцип действия . 9
1.1 Однофотонные детекторы. Устройство и принцип действия 12
1.2 Однофотонные детекторы на основе тонких сверхпроводниковых пленок . 17
Выводы по главе 1 20
2 Механизм возникновения однофотонного отклика и роль кинетической индуктивности на работу детектора 21
2.1 Механизм возникновения однофотонного отклика в рамках модели “горячего пятна”. Расчет радиуса “горячего пятна” на основании экспериментально полученных констант. 22
2.2 Роль кинетической индуктивности на работу детектора. Электротермическая модель детектирования . 34
2.3 Способы повышения служебных характеристик сверхпроводниковых однофотонных детекторов. 40
Выводы по главе 2 42
3 Спектральная чувствительность и быстродействие однофотонного сверхпроводникового детектора . 43
3.1. Зависимость квантовой эффективности (QE) от длины волны в области видимого и среднего ИК диапазона длин волн. 44
3.2 Экспериментальные результаты по измерению характерных времен однофотонного отклика. 55
Выводы по главе 3 62
4 Технологические способы повышения служебных характеристик сверхпроводниковых однофотонных детекторов 63
4.1. Оценка возможности повышения служебных характеристик однофотонных детекторов за счет использования радиационных технологий з
4.3. Разработка однофотонного детектора нового поколения с повышенной квантовой эффективностью в области видимого, среднего и дальнего ИК диапазона длин волн 71
Выводы по главе 4 84
Заключение 85
Список сокращений и условных обозначений 87
Cписок использованных источников
