Развитие методов атомно-силовой микроскопии для контроля электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники

Коровкина Наталья Михайловна. Развитие методов атомно-силовой микроскопии для контроля электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01.- Санкт-Петербург, 2006.- 140 с.: ил. РГБ ОД, 61 07-5/1070
Автор
Коровкина Наталья Михайловна
Год
2006
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Анализ современных зондовых методов диагностики электрическогопотенциала поверхности гетерогенных объектов 9
1.1 Электронно-зондовая микроскопия 9
1.2 Атомно-силовая микроскопия 23
1.2.1 Контактная атомно-силовая микроскопия 26
1.2.2 Колебательные методики атомно-силовой микроскопии 28
1.2.3 «Полуконтактный» метод атомно-силовой микроскопии 29
1.2.4 Микроскопия электростатических сил 31
Глава 2. Методики измерения электрического потенциала на поверхности гетерогенных объектов 38
2.1 Измерение электрического потенциала в электронно-зондовом тестере 38
2.1.1 Устройство энергоанализатора 41
2.1.2 Проведение стробоскопических измерений электрического потенциала в электронно-зондовом тестере 45
2.2 Аппаратура для контроля электрического потенциала поверхности гетерогенных объектов на основе электронно-зондового тестера 49
2.3 Измерение электрического потенциала методом атомно-силовой микроскопии 52
2.4 Аппаратура для контроля электрического потенциала поверхности гетерогенных объектов на основе атомно-силового микроскопа 62
2.5 Формирование тестовых структур и подготовка гетерогенных объектов для проведения измерений методами электронно-зондовой и атомно-силовой микроскопии 67
2.5.1 Описание тестовых структур 67
2.5.2 Подготовка гетерогенных объектов для анализа с помощью электронно-зондовой и атомно-силовой микроскопии 73
2.5.2.1 Технологические методы удаления корпусов микросхем, защитно-изолирующих и металлических покрытий 74
Глава 3. Исследование зондовыми методами гетерогенных объектов 80
3.1 Измерение электрофизических параметров различных материалов и структур методами атомно-силовой микроскопии 80
3.1.1 Измерение работы выхода различных материалов 83
3.1.2. Измерение типа проводимости 85
3.1.3 Расчет концентрации электрически активных примесей 89
3.2 Измерение электрического потенциала на поверхностях и сколах многослойных структур 96
Глава 4. Измерение логического состояния микросхем памяти 103
4.1 Виды микросхем памяти 103
4.2 Оценка чувствительности и локальности методов электростатической силовой микроскопии и зонда Кельвина 112
4.3 Методика определения логического состояния ячеек памяти EPROM и EEPROM 119
Выводы по работе 131
Список литературы 132

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Бутузов Владимир Алексеевич
Количество страниц
Год
2014
99 000 UZS
Автор
Жуков Дмитрий Михайлович
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Татаринцев, Андрей Андреевич
Количество страниц
Год
2013
99 000 UZS
Автор
Завьялов, Анатолий Владимирович
Количество страниц
Год
2010
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3