Введение
Глава 1. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС, стимулированная термическим воздействием . 10
1.1. Формирование и релаксация доменной структуры в реальных кристаллах группы ТГС. . 10
1.2. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС в процессе ее формирования . 28
1.3. Выводы к Главе 1. 53
Глава 2. Релаксация в сепатоэлектрических кристаллах групп ТГС, KDP и сегнетовои соли, стимулированная внешним электрическим полем . 54
2.1. Релаксационные процессы в сегнетоэлектриках, обусловленные действием электрических полей. . 54
2.2. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС, KDP и сегнетовой соли, стимулированная действием внешнего электрического поля . 62
2.2.1. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС. (Постоянное поле). 64
2.2.2. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС. (Переменное поле). 77
2.2.3. Релаксация доменной структуры кристалла сегнетовой соли. (Постоянное поле). 82
2.2.4. Релаксация доменной структуры кристаллов группы KDP. (Переменное поле). 89
2.3. Выводы к Главе 2. 97
Глава 3. Пороговое поведение и релаксация эффективной нелинейности в кристаллах группы ТГС . 100
3.1. Нелинейные свойства сегнетоэлектриков. Характеристики диэлектрической нелинейности. . 101
3.2. Эффективная диэлектрическая нелинейность кристаллов группы ТГС. 108
3.2.1. Эффективная диэлектрическая нелинейность номинально чистого и примесных кристаллов триглицинсульфата . 109
3.2.2. Нелинейные свойства облученных кристаллов ТГС. 118
3.2.3. Оценка энергии взаимодействия доменных стенок с дефектами в кристаллах группы ТГС. 123
3.3. Релаксация эффективной диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС с дефектами. 126
3.4. Выводы к Главе 3. 129
Основные результаты работы и выводы. 131
Литература. 133
