Введение
Глава 1 Основные представления о свойствах первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах 13
1.1. Автолокализованные экситоны
1.2. Энергетическая и электронная структура АЭ
1.3. Образование точечных дефектов 30
1.4. Спектры свечения и поглощения кристаллов LiF и MgF2 при воздействии радиации 40
1.4.1. Спектральный состав свечения в кристалле LiF 42
1.4.2. Радиационные дефекты и люминесценция кристаллов MgF2 45
Глава 2 Методика проведения эксперимента 49
2.1. Объекты для исследования 49
2.2. Импульсный оптический спектрометр 49
2.3. Градуировка измерительного тракта спектрометра 54
2.4. Обработка результатов кинетических исследований ^8
Глава 3 Спектрально-кинетические закономерности люминесценции кристалла LiF 66
3.1. Спектры импульсной катодолюминесценции кристалла LiF при низкой температуре
3.2. Температурные зависимости кинетических параметров затухания свечения в кристалле LiF 74
3.2.1. Температурные зависимости характеристического времени затухания 74
3.2.2. Температурные зависимости интенсивностей и высвеченных светосумм в спектрах ИКЛ кристалла LiF 77
3.3. Обсуждение результатов и выводы 90
Глава 4 Автолокализованные экситоны В MgF2 39
4.1. Спектры импульсной катодолюминесценции MgF2 99
4.2. Кинетика затухания ИКЛ в кристалле MgF2 109
4.3. Спектрально-кинетические параметры экситонного поглощения в кристалле MgF2 97
4.4. Обсуждение результатов и выводы 1(ц
Глава 5 Соотношение каналов диссипации энергии первичных процессов дефектообразования в кристаллах LiF и MgF2 108
5.1. Особенности создания ЛЭ в KpucmatinaxLiF и MgF2 1Гі0
5.2. Температурные зависимости эффективности создания ЛЭ и F центров в кристаллах LiF и MgFi 111
5.2.1. Автолокализованные экситоны 111
5.2.2. F-центры 114
5.2.3. Анализ температурных зависимостей 117
5.3. Обсуждение результатов и выводы 120
Заключение 127
Список использованной литературы 130
