Введение
ГЛАВА 1. Теория эффекта Яна-Теллера для точечных дефектов в кубических полупроводниках 24
1.1 Эффект Яна-Теллера и устойчивость конфигураций примесных комплексов в кубических полупроводниках 24
1.2 -задача для центра Cu2+ в GaAs с учетом обменного взаимодействия между двумя дырками 36
1.3 Основные состояния -задачи в линейном по смещениям ядер приближении 50
1.4 Точное решение линейной -задачи и отсутствие туннелирования между соответствующими эквивалентными конфигурациями 56
1.5 Выводы к Главе 1 59
ГЛАВА 2. Релаксационное и резонансное поглощение ультразвука ян-теллеровскими центрами в GaAs и ZnSe 60
2.1 Взаимодействие звука с ян-теллеровскими центрами в полупроводниках 60
2.2 Коэффициенты релаксационного и резонансного поглощения в GaAs:Cu2+ 64
2.3 Определение времени релаксации ультразвуковой методикой на примере ZnSe:V - 74
2.4 Два режима релаксации: активационный и туннельный 77
2.5 Выводы к Главе 2 80
ГЛАВА 3. Поглощение ультразвука в ZnSe:Cr в магнитном поле
3.1 Модель центра Cr2+ в ZnSe
3.2 Взаимодействие ультразвука с центром Cr2+ в ZnSe
3.3 Релаксационные переходы между эквивалентными ян-теллеровскими конфигурациями примесного комплекса CrZn4Se в нулевом магнитном поле
3.4 Магнитоиндуцированное туннелирование между ян-теллеровскими конфигурациями примесного комплекса CrZn4Se .
3.5 Переход к резонансному поглощению ультразвука на центре Cr2+ в ZnSe в постоянном магнитном поле, направленном вдоль оси
3.6 Выводы к Главе 3 .
Заключение
Список сокращений и условных обозначений
Благодарности
Список литературы
