Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония

Коряжкина Мария Николаевна. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 05.27.01 / Коряжкина Мария Николаевна;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»], 2018
Автор
Коряжкина Мария Николаевна
Год
2018

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
99 000 UZS
Автор
Баранов Глеб Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки
99 000 UZS
Автор
Лагов Петр Борисович
Количество страниц
Год
2018
Электронные состояния и процессы переноса в гетероструктурных квантовых ямах на основе InyGa1-yAs с пространственно-неоднородными функциональными нанослоями
99 000 UZS
Автор
Васильевский Иван Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Формирование газоаналитических мультисенсорных микроэлектронных систем на основе термокаталитических и хеморезистивных элементов
99 000 UZS
Автор
Лашков Андрей Витальевич
Количество страниц
Год
2018
Исследование динамики горячих электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием для разработки перспективных СВЧ усилителей мощности
99 000 UZS
Автор
Маковецкая Алена Александровна
Количество страниц
Год
2018
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3