Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах

Ханин Юрий Николаевич. Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01.- Черноголовка, 2002.- 95 с.: ил. РГБ ОД, 61 02-1/852-X
Автор
Ханин Юрий Николаевич
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Разработка и внедрение промышленной субмикронной технологии СБИС
99 000 UZS
Автор
Горнев, Евгений Сергеевич
Количество страниц
Год
2000
Моделирование и исследование биполярнополевых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа и приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Новоселов Алексей Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник
99 000 UZS
Автор
Разумихин Константин Андреевич
Количество страниц
Год
2006
Долговечность интегральных схем и методы ее прогнозирования
99 000 UZS
Автор
Строгонов Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2006
Импедансные фильтры на поверхностных акустических волнах с веерными преобразователями
99 000 UZS
Автор
Аверкин Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3