Введение
Глава 1. Теоретические и экспериментальные исследования высокочастотного отклика и быстропротекающих процессов в резонансно-туннельных наноструктурах (обзор литературы) 11
1.1 Анализ результатов теоретических и экспериментальных исследований высокочастотных свойств резонансно-туннельных диодных (РТД) структур. 11
1.2 Теоретическое описание явления резонансного туннелирования и высокочастотного отклика в РТД структурах 19
Глава 2. Технология изготовления образцов и экспериментальные методы исследования резонансного туннелирования и процессов выпрямления суб-ТГц волн в гетероструктурах на основе GaAs/AlAs и InGaAs/АІАзЯпР 20
2.1 Технология изготовления и структурные параметры одноямных и двухъямных РТД гетероструктур на основе GaAs/AlAs и InGaAs/AlAs/InP 24
2.2 Электрофизическая и оптическая диагностика качества изготовленных резонансно-туннельных наноструктур 28
2.3 Экспериментальная установка и метод исследования процессов выпрямления электромагнитных волн суб-ТГц диапазона в РТД
Выводы по 2-й главе.
Глава 3. Анализ закономерностей высокочастотного отклика РТД наноструктур в рамках приближения дельта-образных барьеров 36
3.1 Симметрийные свойства и особенности высокочастотного отклика одноямных РТД структур в классическом и квантовом режимах усиления... 40
3.2 Анализ симметрийных свойств и особенностей высокочастотного отклика РТД структур с двумя квантовыми ямами 44
3.3 Резонансные квантовые эффекты в двухъямных РТД структурах с распределенными носителями в предбарьерной области 47
3.4 Особенности нелинейного высокочастотного отклика одноямных РТД 50
Выводы по 3-й главе.
Глава 4. Исследование высокочастотных свойств РТД в рамках квантовой теории, учитывающей фермиевское распределение носителей в предбарьерных областях и влияние постоянного электрического поля 55
4.1 Квантовая теория высокочастотного отклика одноямных и двухъямных РТД с конечными структурными параметрами, учитывающая влияние прикладываемого к структуре постоянного электрического поля 55
4.2 Закономерности высокочастотного отклика одноямных РТД структур с оптимальной структурной конфигурацией 60
4.3 Закономерности высокочастотного отклика двухъямных РТД структур и возможности перестраиваемого узкополосного усиления в диапазоне ТГц частот 72
Выводы по 4-й главе.
Глава 5. Экспериментальное и теоретическое исследование процессов выпрямления электромагнитных волн суб-ТГц и ТГц диапазона в одноямных и двухъямных РТД наноструктурах 87
5.1 Теоретическое моделирование изменений стационарных вольт-амперных характеристик РТД структур под воздействием суб-ТГц и ТГц излучения 87
5.2 Особенности выпрямления суб-ТГц волн в одноямных и двухъямных РТД 91
5.3 Оценка быстродействия РТД элементов на основе результатов измерений эффекта выпрямления СВЧ излучения 105
Выводы по 5-й главе.
Публикации автора по теме диссертации 0
Список использованной литературы 1
