Введение
Глава 1. Теоретическое исследование эффектов обратимой деградации . 21
1.1. Моделирование двумерных полупроводниковых структур полевых транзисторов. 22
1.2. Модель GaAs ПТШ для исследования образования объёмного заряда в полуизолирующей подложке . 32
1.3. Равновесный случай 37
1.4. Динамика процессов и зависимость от концентрации глубоких уровней в подложке 46
Выводы 61
Глава 2. Экспериментальное исследование эффектов обратимой деградации GaAs ПТШ . 62
2.1. Воздействие одиночных СКИ отрицательной полярности по входной цепи ПТШ. 63
2.2. Воздействие серии СКИ отрицательной полярности на затвор ПТШ 67
2.3. Исследование воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на ПТШ, изготовленные на разных партиях подложки . 74
2.4. Воздействие серии СКИ на ПТШ в разных температурных режимах 88
Выводы 91
Глава 3. Малошумящий усилитель на ПТШ при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов 93
3.1. Задача электромагнитной совместимости МШУ при воздействии серии сверхкоротких видеоимпульсов. 94
3.2. Экспериментальное исследование работы МШУ при воздействии видеоимпульсов субнаносекундной длительности . 102
3.3. МШУ при воздействии гармонических помех и видеоимпульсов субнаносекундной длительности 113
Выводы 122
Глава 4. Измерительный комплекс для исследования эффектов обратимой деградации при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов 123
4.1. Описание и основные характеристики измерительного комплекса 124
4.2. Описание программного обеспечения автоматизированного измерительного комплекса 135
4.3. Методика испытаний транзисторов на воздействие серии субнаносекундных видеоимпульсов. 142
4.4. Методика испытаний помехозащищенности МШУ при воздействии серии СКИ 144
Выводы 152
Заключение 153
Библиографический список использованной литературы 156
