Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ

Лебедев, Андрей Олегович. Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Лебедев Андрей Олегович; [Место защиты: ГОУВПО "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ""].- Санкт-Петербург, 2013.- 304 с.: ил.
Автор
Лебедев, Андрей Олегович
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
99 000 UZS
Автор
Черняков Антон Евгеньевич
Количество страниц
Год
2014
Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния
99 000 UZS
Автор
Ли, Галина Викторовна
Количество страниц
Год
2013
Краевые возбуждения в 2D электронных системах с дираковскими фермионами
99 000 UZS
Автор
Загороднев Игорь Витальевич
Количество страниц
Год
2013
Квантовые кинетические явления в дырочном газе размерно-квантованной валентной зоны германия
99 000 UZS
Автор
Неверов, Владимир Николаевич
Количество страниц
Год
2013
Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
99 000 UZS
Автор
Петухов, Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3