Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии

Семягин Борис Рэмович. Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07.- Новосибирск, 2002.- 208 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-1/850-6
Автор
Семягин Борис Рэмович
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование трехслойных полупроводниковых структур и сверхрешеток методом рентгеновской интерференционной топографии
99 000 UZS
Автор
Федоров Алексей Алексеевич
Количество страниц
Год
2002
Исследование магнитных свойств диспрозий-иттриевых ферритов-гранатов при низких температурах
99 000 UZS
Автор
Федоров Георгий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2002
Влияние термообработки на необратимые изменения свойств аморфных магнитных металлических сплавов
99 000 UZS
Автор
Докукин Максим Евгеньевич
Количество страниц
Год
2004
Пластическая деформация и разрушение тугоплавкого металла с гранецентрированной кубической решеткой
99 000 UZS
Автор
Панфилов Петр Евгеньевич
Количество страниц
Год
2005
Многоэлектронные эффекты в угловом распределении фотоэлектронов и флуоресценции при возбуждении и ионизации атомов поляризованным излучением с энергией 2.5-90 эВ
99 000 UZS
Автор
Петров Иван Дмитриевич
Количество страниц
Год
2002
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3