Введение
1. Теоретические предпосылки уширения экситонной линии в твердом растворе
1.1 Экситон во флуктуирующем потенциале в кристалле 16
1.2 Расщепление уровня валентной зоны вследствие деформации кристалла и скрытое уширение экситонной линии 26
1.3 Механизмы однородного уширения экситонной линии 31
1.4 Экситонные поляритоны в твердом растворе. Ширина линии как фактор затухания в теории интегрального поглощения 38
1.5 Уровни Ландау и осциллирующее магнитопоглощение в полупроводнике 48
1.6 Экситон в полупроводнике в магнитном поле. Критерий сильного магнитного поля. Эффект Зеемана и диамагнитный сдвиг 53
1.7 Экситон в твердом растворе в магнитном поле 57
1.8 Постановка исследования
1.9 Основные параметры твердого раствора Alo.15Gao.s5As 66
2. Образцы, техника эксперимента и обработка экспериментальных данных
2.1 Исследовавшиеся образцы 69
2.2 Техника экспериментального исследования 74
2.3 Обработка экспериментальных данных 79
3. Основные экспериментальные результаты 82
3.1 Спектры пропускания, отражения и спектры коэффициента поглощения 82
3.2 Явное и скрытое деформационное расщепление экситонной линии 89
3.3 Выделение экситонного спектра из спектра коэффициента поглощения 94
3.4 Контурный анализ линий экситонного поглощения 100
3.5 Температурная зависимость параметров экситонного поглощения 108
3.6 Зависимость экситонного поглощения от магнитного поля 115
3.7 Осциллирующее магнитопоглощение твердого раствора Alo.isGao.gsAs 126
4. Обсуждение экспериментальных результатов 133
4.1 Температурная зависимость ширины экситонной линии в твердом растворе Alo.15Gao.85As 133
4.2 Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонной линии в Alo.15Gao.85As 238
4.3 Однородное уширение экситонной линии в Alo.15Gao.85As 144
4.4 Неоднородное уширение экситонной линии в Alo.15Gao.85As 150
4.5. Магнитооптика твердых растворов Alo.15Gao.85As
4.6 Ширина экситонной линии в твердом растворе Alo.15Gao.s5As в магнитном поле 157
4.7 Интегральное поглощение экситонной линии в твердом растворе Alo.15Gao.85As в магнитном поле 164
Заключение 173
