Введение
Глава 1. Обзор литературы 14
1.1 Среда из проводов: физические свойства и их применение 14
1.1.1 Модели сред из проводов 18
1.1.2 Изготовление микро- и нано- проводов 27
1.1.3 Физические свойства сред из проводов 30
1.1.4 Перенос изображения с субволновым разрешением с помощью среды из проводов (эффект суперлинзы)
1.2 Электрохимическое формирование пористых наноструктур в полупроводниках 46
1.3 Заполнение диэлектрических матриц (Al2O3) металлами
1.3.1 Типы пленок анодированного оксида алюминия 48
1.3.2 Синтез пористых плёнок анодированного оксида алюминия 49
1.3.3 Электрохимическое осаждение металлов 52
1.3.4 Осаждение в отделённую нанопористую плёнку АОА 54
1.3.5 Осаждение в нанопористую плёнку АОА на подложке из 55
1.3.6 Осаждение в нанопористую плёнку АОА с дополнительным слоем металла напыленного на подложку 57
1.3.7 Особенности электрохимического осаждения в нанопористых пленках АОА 1.4 Эмиссия терагерцового излучения из полупроводников 61
1.5 Выводы 65
1.6 Миссия работы 67
Глава 2. Анодное электрохимическое травление полупроводников AB и изготовление сред из проводов 68
2.1 Анодное электрохимическое травление полупроводников соединений AB 68
2.2 Предельные параметры наноструктуризации GaAs (100)
2.3 Изготовление среды из проводов на основе полупроводниковой матрицы GaP 76
2.4 Выводы 79
Глава 3. Метаматериал на основе среды из проводов для терагерцового диапазона частот 80
3.1 Изготовление макропористой матрицы на основе Si и заполнение пор металлом (Au) 80
3.2 Терагерцовая спектроскопия среды из проводов 81
3.3 Определение показателя преломления среды из проводов 82
3.4 Выводы 85
Глава 4. Прохождение света сквозь тонкий слой среды из проводов в ближнем ИК и оптическом диапазонах частот 86
Глава 5. Оптические свойства пористого InP 96
Глава 6. Эмиссия терагерцового излучения из нанопористых полупроводниковых матриц под действием коротких импульсов света 105
6.1 Гигантское усиление эмиссии терагерцового излучения из нанопористого GaP 105
6.1.1 Обсуждение 106
6.1.2 Заключение 109
6.2 Эмиссия терагерцового излучения из наноструктурированной поверхности (311) GaAs 110
6.2.1 Результаты и обсуждение 111
6.2.2 Заключение 115
6.3 Выводы 115
Заключение 116
Список литературы
