Введение
ГЛАВА 1. Современное состояние исследований в области прозрачной электроники
1.1 Прозрачные проводящие оксиды 10
1.2 Тонкопленочные транзисторы 12
1.3 Материалы
1.3.1 Компоненты прибора 26
1.3.2 Материалы полупроводникового канала и-типа 27
1.3.3 Материалы проводящих областей - истока, стока и затвора 36
1.3.4 Подзатворные диэлектрики 3 8
1.4 Основные подходы, используемые при моделировании TTFT 43
ГЛАВА 2. Изготовление тонких пленок металлооксидов для прозрачных тонкопленочных полевых транзисторов
2.1 Изготовление керамических мишеней 47
2.1.1 Изготовление керамической мишени для подзатворного диэлектрика из оксида титана ТіОг
2.1.2 Изготовление керамической мишени для активных областей тонкопленочного транзистора из оксидов цинка ZnO и олова БпОг
2.2 Составные комбинированные мишени для ионно-лучевого распыления тонких пленок оксидов металлов переменного состава
2.3 Ионно-лучевое напыление тонких пленок оксидов металлов заданного процентного соотношения
ГЛАВА 3. Исследование характеристик тонких пленок металлооксидов для элементов конструкции прозрачного полевого транзистора
3.1 Измерение толщины структур 67
3.1.1 Исследование толщины пленок ТЮ2 - Si02 68
3.1.2 Исследование толщины пленок БпОг - ZnO (TZO) и ZnO - БпОг 71 (ZTO) для материала проводящих областей транзистора и канала
3.2 Анализ элементного и фазового состава образцов 76
3.3 Исследование морфологии поверхности и рентгеновский анализ объема з
пленок после их кристаллизации
3.4 Оптические характеристики образцов 89
3.5 Исследование электрических свойств тонких пленок TZO и ZTO 99
ГЛАВА 4. Моделирование вольт-амперных характеристик тонкопленочных металлооксидных транзисторов
4.1 Идеальная модель без учета реальных эффектов, возникающих в канале 108
4.2 Эффекты, возникающие при работе реальных тонкопленочных металлооксидных транзисторов
4.2.1 Захват носителей зарядов в ловушки 118
4.2.2 Шероховатость поверхности 119
4.2.3 Последовательные сопротивления на границах исток-канал и сток-канал
4.2.4 Проводимость канала 120
4.2.5 Изменение длины канала 122
4.2.6 Неограниченный канал, краевые эффекты тока
4.3 Модель, учитывающая наличие сопротивления в объеме и на поверхности полупроводникового канала
4.4 Модель, учитывающая наличие емкости в канале транзистора 130
4.5 Модель, учитывающая одновременное влияние сопротивлений и емкости канала, и программное обеспечение для анализа характеристик тонкопленочных транзисторов
4.6 Программа для моделирования вольт-амперных характеристик TTFT 139
Выводы по диссертации 144
Литература 146
