Введение
Глава 1. Обзор литературы 11
1.1 Оптическое ограничение 11
1.1.1 Разнообразие подходов к реализации ограничения 11
1.1.2 Ограничение в полупроводниках 15
1.1.3 Ограничение в слоистых безрезонаторных средах 19
1.2 Нелинейные резонаторы 21
1.2.2 Твердотельные (плёночные) резонаторы 23
1.2.3 Ограничение в слоистых резонаторах (работы последних лет) 30
Глава 2. Теория и численный эксперимент 35
2.1 ЭМ волна в среде с линейным поглощением 35
2.2 Матричный расчёт многослойных структур
2.2.1 Линейный расчёт 44
2.2.2 Алгоритм учёта нелинейности 47
2.2.3 Численный расчёт и волновое уравнение 49
2.3 Слоистый микрорезонатор Фабри-Перо 53
2.3.1 Линейный спектр и локализация поля 54
2.3.2 Зависимость пропускания от угла падения 57
2.3.3 Пропускание резонатора в сходящемся пучке 59
2.3.4 Ограничение при кубической нелинейности 66
2.3.5 Пороговая интенсивность при нелинейной рефракции 69
2.3.6 Пороговая интенсивность при нелинейном поглощении 72
2.3.7 Пересчёт зависимости от интенсивности в зависимость от
2.4 Оптическое ограничение в полупроводниках 78
2.4.1 Математическое описание нелинейных процессов 78
2.4.2 Приближение малого поглощения 79
2.4.3 Оценка порога ограничения на примере GaAs 80
Глава 3. Физический эксперимент 84
3.1 Плёночный резонатор на 532 нм c Nb2O5 84
3.1.1 Структура и линейный спектр 84
3.1.2 Нелинейные характеристики 90
3.1.3 Изменение временной и пространственной форм импульса 93
3.2 Плёночный резонатор на 1540 нм c GaAs 99
3.2.1 Структура и линейный спектр 99
3.2.2 Характеристика ограничения 100
3.3 Полупроводниковый резонатор на 1117 нм GaAs/AlAs 102
3.3.1 Структура и линейный спектр 102
3.3.2 Нелинейные характеристики 106
Заключение .110
Список сокращений .113
Список литературы
