Смена механизмов резистивности ВТСП пл#нок при переходе в сверхпроводящее состояние

Прокофьев Дмитрий Дмитриевич. Смена механизмов резистивности ВТСП пл#нок при переходе в сверхпроводящее состояние : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 Санкт-Петербург, 2003 129 с. РГБ ОД, 61:04-1/126-1
Автор
Прокофьев Дмитрий Дмитриевич
Год
2003

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
99 000 UZS
Автор
Артёмов Владимир Викторович
Количество страниц
Год
2005
Электронная структура дисилицидов молибдена, вольфрама и рения
99 000 UZS
Автор
Бабушкина Елена Владимировна
Количество страниц
Год
2005
Особенности структуры и механических свойств нанокомпозитов на основе полипропилена и Na+ -монтмориллонита
99 000 UZS
Автор
Баранников Артем Анатольевич
Количество страниц
Год
2005
Особенности механического поведения упорядочивающихся высококремнистых сплавов Fe-Si
99 000 UZS
Автор
Алешин Дмитрий Николаевич
Количество страниц
Год
2005
Кристаллическая структура, динамика решетки и ионный перенос в суперионных проводниках халькогенидов меди и серебра
99 000 UZS
Автор
Биккулова Нурия Нагимьяновна
Количество страниц
Год
2005
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3