Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах

Бормонтов, Александр Евгеньевич. Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Бормонтов Александр Евгеньевич; [Место защиты: Воронеж. гос. ун-т].- Воронеж, 2010.- 149 с.: ил. РГБ ОД, 61 11-1/192
Автор
Бормонтов, Александр Евгеньевич
Год
2010

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
99 000 UZS
Автор
Барыгин Илья Алексеевич
Количество страниц
Год
2009
Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
99 000 UZS
Автор
Белогорохов Иван Александрович
Количество страниц
Год
2009
Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
99 000 UZS
Автор
Калинина Евгения Викторовна
Количество страниц
Год
2009
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
99 000 UZS
Автор
Новиков, Вадим Александрович
Количество страниц
Год
2010
Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
99 000 UZS
Автор
Маркосов Максим Сергеевич
Количество страниц
Год
2009
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3