Введение
Глава 1. Приближение огибающей функции для исследования квантовых состояний в объемных полупроводниках и полупроводниковых структурах 15
1.1. Приближение огибающей функции: постановка задачи 17
1.2. Полнозонное приближение огибающей функции 18
1.3. Переход к одно- и многозонным эквивалентным гамильтонианам 24
1.4. Приближение огибающей функции в многодолинном полупроводнике 27
1.5. Приближение огибающей функции при учете релятивистских поправок 29
1.6. Заключительные замечания по Главе 1 34
1.7. Выводы по Главе 1 36
Глава 2. Спиновое смешивание в зоне проводимости кремниевых нанокристаллов 37
2.1. Спиновые свойства кремниевых нанокристаллов: вводные замечания 37
2.2. Эквивалентный гамильтониан в зоне проводимости кремниевых нанокристаллов при учете спин-орбитального взаимодействия 38
2.3. Параметр спинового смешивания в кремниевых нанокристаллах 45
2.4. Заключительные замечания по Главе 2 49
2.5. Выводы по Главе 2 52
Глава 3. Теория модификация g-фактора электронов проводимости в кремнии в результате взаимодействия с фононами и примесными центрами 53
3.1. Обзор литературы по проблеме температурной зависимости g-фактора электронов проводимости в кремнии 54
3.2. Квантовые состояния вблизи дна зоны проводимости объемного кремния в присутствии слабого внешнего однородного магнитного поля 56
3.3. Наблюдаемый g-фактор электронов проводимости: связь с одноэлектронными параметрами 3.4. Теория перенормировки g-фактора электронов проводимости при взаимодействии с полем фононов 59
3.5. Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии: расчет и сравнение с экспериментом 63
3.6. Зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии от концентрации легирующей донорной примеси 67
3.7. Заключительные замечания по Главе 3 69
3.8. Выводы по Главе 3 з
Глава 4. Электронные состояния и оптическая щель в нанокристаллах нитрида галлия, внедренных в широкозонные диэлектрические матрицы 71
4.1. Сферические нанокристаллы нитрида галлия в широкозонных диэлектрических матрицах: вводные замечания 71
4.2. Электронные и дырочные состояния в нанокристаллах нитрида галлия, внедренных в широкозонные диэлектрические матрицы 72
4.3. Оптическая щель нанокристаллов нитрида галлия, внедренных в широкозонные диэлектрические матрицы 81
4.4. Излучательная рекомбинация в нанокристаллах нитрида галлия, внедренных в широкозонные диэлектрические матрицы
4.5. Заключительные замечания по Главе 4 87
4.6. Выводы по Главе 4 88
Глава 5. Электронные состояния в магнитно-индуцированных квантовых точках на краю двумерного топологического изолятора 90
5.1. &т -гамильтониан на краю двумерного топологического изолятора HgTe/CdHgTe 90
5.2. Модель магнитно-индуцированной квантовой точки на краю двумерного топологического изолятора 92
5.3. Квантовые состояния в магнитно-индуцированной квантовой точке на краю двумерного топологического изолятора 94
5.4. Спиновая плотность и поляризация состояний в симметричной магнитно-индуцированной квантовой точке на краю двумерного топологического изолятора
5.5. Заключительные замечания по Главе 5 98
5.6. Выводы по Главе 5 98
Заключение 99
Благодарности 100
Список работ автора по теме диссертационного исследования 101
Перечень сокращений и условных обозначений 103
Список литературы
