Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si

Синис Валерий Павлович. Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10.- Москва, 2002.- 132 с.: ил. РГБ ОД, 71 02-1/394-2
Автор
Синис Валерий Павлович
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
99 000 UZS
Автор
Фещенко Игорь Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
99 000 UZS
Автор
Фридман Татьяна Петровна
Количество страниц
Год
2002
Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
99 000 UZS
Автор
Щербаков Алексей Валерьевич
Количество страниц
Год
2002
Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Гордо Наталья Михайловна
Количество страниц
Год
2001
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)
99 000 UZS
Автор
Иванов, Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3