Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения

Черникова Анна Георгиевна. Структурные и электрофизические свойства аморфных HfxAl1-xOy и сегнетоэлектрических HfxLa1-xOy, HfxZr1-xOy тонкопленочных оксидов, формируемых методом атомно-слоевого осаждения: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.04 / Черникова Анна Георгиевна;[Место защиты: ФГАОУВПО Московский физико-технический институт (государственный университет)], 2017.- 153 с.
Автор
Черникова Анна Георгиевна
Год
2017
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Неравновесные аморфные и кристаллические cистемы на основе оксида гафния, фoрмируемые методом атомно-слоевого осаждения 16
1.1 Аморфные многокомпонентные диэлектрики на основе HfO2 для МИМ структур линейных конденсаторов 16
1.2 Неравновесные кристаллические диэлектрики на основе HfO2 для сегнетоэлектрических МИМ структур 26
ГЛАВА 2. Методы формирования и исследования неравновесных систем hfxal1-xoy, hfxla1-xoy, hfxzr1-xoy и мим структур на их основе 41
2.1 Формирование тонкопленочных слоев методом атомно-слоевого осаждения 41
2.2 Элементно-химический анализ материалов и определение взаимного расположения зон МИМ структур методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии 49
2.3 Изучение кристаллической структуры методом рентгеновской дифракции 55
2.4 Электрофизические исследования МИМ структур 56
Заключение к главе 2 64
ГЛАВА 3. Исследование неравновесных аморфных систем hfxal1-xoy, сформированных методом АСО 65
3.1 Cтруктурно-химические свойства неравновесных систем HfxAl1-xOy 65
3.2 Электрофизические свойства МИМ структур на основе неравновесных аморфных систем HfxAl1-xOy 73
Заключение к главе 3 80
ГЛАВА 4. Исследование мим структур на основе неравновесных сегнетоэлектрических систем HfxLa1-хOy 81
4.1 Структурные и электрофизические свойства тонких пленок HfxLa1-xOy, сформированных методом атомно-слоевого осаждения 81
4.2 Исследование влияния быстрой термической обработки и концентрации La на структурные и электрофизические свойства неравновесных сегнетоэлектрических систем hfxla1-xoy 85
Заключение к главе 4 з
ГЛАВА 5. Исследование неравновесной кристаллической системы hf0,5zr0,5oy и сегнетоэлектрических мим структур на ее основе 98
5.1 Влияние толщины и ограничивающего покрытия на структурные и сегнетоэлектрические свойства Hf0,5Zr0,5Oy 98
5.2 Исследование особенностей формирования границ раздела Hf0,5Zr0,5Oy c TiN 117
5.3 Формирование и исследование ячеек 1Т-1С сегнетоэлектрической памяти на основе сегнетоэлектрической МИМ структуры TiN/Hf0,5Zr0,5Oy/TiN 125
Заключение к главе 5 130
Заключение 132
Список сокращений и обозначений 134
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Карасев Платон Александрович
Количество страниц
Год
2018
99 000 UZS
Автор
Ишуткин Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Али Рафид Аббас Али
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Колотинский Николай Васильевич
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Гребенюк Георгий Сергеевич
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3